RJH1CV7DPQ-E0#T2 Renesas Electronics America Inc Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
IGBT-Typ: Trench
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 35A
Leistung – Max.: 320 W
Schaltenergie: 3.2mJ (on), 2.5mJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 166 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 53ns/185ns
Testbedingung: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr): 200 ns
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247