APT50GF120B2RG Microchip Technology Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: NPT
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 135 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A
Leistung – Max.: 781 W
Schaltenergie: 3.6mJ (on), 2.64mJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 340 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 25ns/260ns
Testbedingung: 800V, 50A, 1Ohm, 15V
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3 Variant
Basisproduktnummer: APT50GF120