APT40GP90B2DQ2G Microchip Technology Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: POWER MOS 7®
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: PT
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 101 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
Leistung – Max.: 543 W
Schaltenergie: 795µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 145 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 14ns/90ns
Testbedingung: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3 Variant
Basisproduktnummer: APT40GP90