HGTG10N120BND onsemi Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Last Time Buy
IGBT-Typ: NPT
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 35 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Leistung – Max.: 298 W
Schaltenergie: 850µJ (on), 800µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 100 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 23ns/165ns
Testbedingung: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr): 70 ns
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-3
Basisproduktnummer: HGTG10N120