IGP01N120H2XKSA1036 Infineon Technologies Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: -
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3.2 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 3.5 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1A
Leistung – Max.: 28 W
Schaltenergie: 80µJ (on), 60µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 8.6 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 13ns/370ns
Testbedingung: 800V, 1A, 241Ohm, 15V
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO220-3-1