APT13GP120BDQ1G Microchip Technology Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: POWER MOS 7®
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: PT
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 41 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 50 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A
Leistung – Max.: 250 W
Schaltenergie: 115µJ (on), 165µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 55 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 9ns/28ns
Testbedingung: 600V, 13A, 5Ohm, 15V
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247 [B]
Basisproduktnummer: APT13GP120