RGT8BM65DTL Rohm Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Not For New Designs
IGBT-Typ: Trench Field Stop
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 12 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Leistung – Max.: 62 W
Schaltenergie: -
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 13.5 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 17ns/69ns
Testbedingung: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr): 40 ns
Betriebstemperatur: -40°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten: TO-252
Basisproduktnummer: RGT8BM65