RGSX5TS65DHRC11 Rohm Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Trench Field Stop
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 114 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 225 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Leistung – Max.: 404 W
Schaltenergie: 3.32mJ (on), 1.9mJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 79 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 43ns/113ns
Testbedingung: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr): 114 ns
Betriebstemperatur: -40°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247N
Basisproduktnummer: RGSX5TS65