RJH60D7BDPQ-E0#T2 Renesas Electronics America Inc Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Trench
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Leistung – Max.: 300 W
Schaltenergie: 700µJ (on), 1.4mJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 125 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 60ns/180ns
Testbedingung: 300V, 50A, 5Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr): 25 ns
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247
Basisproduktnummer: RJH60D7