RJP60V0DPM-00#T1 Renesas Electronics America Inc Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Trench
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 22A
Leistung – Max.: 40 W
Schaltenergie: -
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 75 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 45ns/100ns
Testbedingung: 300V, 22A, 5Ohm, 15V
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3PFM
Basisproduktnummer: RJP60V0