APT33GF120B2RDQ2G Microchip Technology Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: NPT
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 64 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
Leistung – Max.: 357 W
Schaltenergie: 1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 170 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 14ns/185ns
Testbedingung: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3 Variant
Basisproduktnummer: APT33GF120