FGA60N65SMD onsemi Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Field Stop
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 120 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Leistung – Max.: 600 W
Schaltenergie: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 189 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 18ns/104ns
Testbedingung: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr): 47 ns
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3P
Basisproduktnummer: FGA60N65