RGC80TSX8RGC11 Rohm Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Trench Field Stop
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1800 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 40A
Leistung – Max.: 535 W
Schaltenergie: 1.85mJ (on), 1.6mJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 468 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 80ns/565ns
Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur: -40°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247N
Basisproduktnummer: RGC80