APT35GN120BG Microchip Technology Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 94 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 105 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
Leistung – Max.: 379 W
Schaltenergie: 2.315mJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 220 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 24ns/300ns
Testbedingung: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247 [B]
Basisproduktnummer: APT35GN120