IKW03N120H Infineon Technologies Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: -
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 9.6 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 9.9 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Leistung – Max.: 62.5 W
Schaltenergie: 140µJ (on), 150µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 22 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 9.2ns/281ns
Testbedingung: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr): 42 ns
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO247-3-21