APT75GP120B2G Microchip Technology Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: POWER MOS 7®
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: PT
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 300 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
Leistung – Max.: 1042 W
Schaltenergie: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 320 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 20ns/163ns
Testbedingung: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3 Variant
Basisproduktnummer: APT75GP120