APT50GN120L2DQ2G Microchip Technology Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 134 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Leistung – Max.: 543 W
Schaltenergie: 4495µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 315 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 28ns/320ns
Testbedingung: 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-264-3, TO-264AA
Basisproduktnummer: APT50GN120