RGT16TM65DGC9 Rohm Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Trench Field Stop
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 9 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Leistung – Max.: 22 W
Schaltenergie: -
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 21 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 13ns/33ns
Testbedingung: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr): 42 ns
Betriebstemperatur: -40°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220NFM
Basisproduktnummer: RGT16