HGT1S12N60B3D Harris Corporation Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Harris Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: -
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 27 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 110 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Leistung – Max.: 104 W
Schaltenergie: 304µJ (on), 250µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 78 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 26ns/150ns
Testbedingung: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten: I2PAK (TO-262)