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HGT1S12N60C3R Harris Corporation Transistoren - IGBTs - Einzeln

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
Lager:
Model: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
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Hersteller: Harris Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: -
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 24 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 48 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Leistung – Max.: 104 W
Schaltenergie: 400µJ (on), 340µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 71 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 37ns/120ns
Testbedingung: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr): 37 ns
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten: I2PAK (TO-262)

Datasheet

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  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
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    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}