STGW50H65DFB2-4 STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: HB2
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Trench Field Stop
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 86 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Leistung – Max.: 272 W
Schaltenergie: 629µJ (on), 478µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 151 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 18ns/128ns
Testbedingung: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr): 92 ns
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-4
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4
Basisproduktnummer: STGW50