RJP60F5DPK-01#T0 Renesas Electronics America Inc Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: -
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Leistung – Max.: 260.4 W
Schaltenergie: -
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 74 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 53ns/90ns
Testbedingung: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3P
Basisproduktnummer: RJP60F5