SKW07N120 Infineon Technologies Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: NPT
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 16.5 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 27 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 8A
Leistung – Max.: 125 W
Schaltenergie: 1mJ
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 70 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 27ns/440ns
Testbedingung: 800V, 8A, 47Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr): 60 ns
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO247-3-1
Basisproduktnummer: SKW07N