HGT1S2N120CN Fairchild Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Fairchild Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
IGBT-Typ: NPT
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 13 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 20 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A
Leistung – Max.: 104 W
Schaltenergie: 96µJ (on), 355µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 30 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 25ns/205ns
Testbedingung: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten: TO-262