APT65GP60L2DQ2G Microchip Technology Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: POWER MOS 7®
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: PT
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 198 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 250 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
Leistung – Max.: 833 W
Schaltenergie: 605µJ (on), 895µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 210 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 30ns/90ns
Testbedingung: 400V, 65A, 5Ohm, 15V
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-264-3, TO-264AA
Basisproduktnummer: APT65GP60