NTE3322 NTE Electronics, Inc Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: -
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 60 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
Leistung – Max.: 170 W
Schaltenergie: -
Eingabetyp: Standard
Td (ein/aus) bei 25 °C: 460ns/600ns
Testbedingung: -
Sperrverzögerungszeit (trr): 2.5 µs
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3P