NTE467 NTE Electronics, Inc Transistoren - JFETs

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Spannung - Durchschlag (V(BR)GSS): 30 V
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V
Widerstand - RDS(Ein): 30 Ohms
Leistung – Max.: 310 mW
Betriebstemperatur: -65°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92