Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Spannung - Durchschlag (V(BR)GSS): 30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
Widerstand - RDS(Ein): 100 Ohms
Leistung – Max.: 625 mW
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92-3
