Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Spannung - Durchschlag (V(BR)GSS): 20 V
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 10V
Widerstand - RDS(Ein): 800 Ohms
Leistung – Max.: 300 mW
Betriebstemperatur: -
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-72
