BAW56SRAZ NXP Semiconductors Diodenarrays

Hersteller: NXP Semiconductors
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Diodenkonfiguration: 2 Pair Common Anode
Technologie: Standard
Spannung – DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90 V
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 375mA (DC)
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr): 4 ns
Strom – Rückwärtsleckstrom @ Vr: 500 nA @ 80 V
Betriebstemperatur – Sperrschicht: 150°C (Max)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-XFDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten: DFN1412-6
Basisproduktnummer: BAW56