TRS8E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Dioden - Gleichrichter - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
Spannung – DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650 V
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io): 8A
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr): 0 ns
Strom – Rückwärtsleckstrom @ Vr: 40 µA @ 650 V
Kapazität @ Vr, F: 28pF @ 650V, 1MHz
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-2
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220-2L
Betriebstemperatur – Sperrschicht: 175°C(Max)
Basisproduktnummer: TRS8E65